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正向压降：晶闸管的正向压降受器件材质、芯片面积与温度影响，正向压降越大，导通损耗越高。采用宽禁带半导体材料（如SiC）的晶闸管，正向压降比传统Si晶闸管低20%-30%，导通损耗更小，温升更低；芯片面积越大，电流密度越低，正向压降
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调节精度高：模块采用高精度移相触发电路，导通角调节精度可达0.1°，输出电压的有效值偏差可控制在±1%以内，能够满足各类电机对电压调节精度的需求，进而实现精细的转速控制。响应速度快：晶闸管的开关速度快（导通时间通常为几微秒，关断时
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